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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5366 个

  • 音响功放mos管,500v13a,KNF6450B场效应管参数资料-KIA MOS管

    音响功放专用场效应管KNF6450B漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.35Ω，低导通电阻，最大限度地减少导通损耗；具备快速切换特性，实现快速切换电源，高效率低损耗；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试，稳定可靠；适用于音响功放、适配...

    448 次查看 500v13a 音响功放mos管

    www.kiaic.com/article/detail/5462.html         2025-09-03

  • 适配器充电器mos,500v mos,to220,​​KNP6450B场效应管-KIA MOS管

    KNP6450B场效应漏源电压500V，漏极电流13A，低导通电阻RDS(on) 0.35Ω，最大限度地减少导通损耗，高效率低损耗，性能优越；具备快速切换特性，实现快速切换电源；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试，稳定可靠；适用于音响功放、适配器和充电...

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    www.kiaic.com/article/detail/5902.html         2025-09-03

  • 控制器开关驱动电路,电动车控制器mos管-KIA MOS管

    当HS为高电平时，Q7、Q4导通，Q6关闭，电容C4上的电压（约14V）经过Q4、D3、R6加到Q5的栅极，使Q5导通。在导通期间，Q5的源极电压（Phase）接近电源电压Vdc，所以电容两端的电压随着Phase电压一起浮动，电容C4亦称为自举电容。Q5靠C4两端的电压来维持导通。

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    www.kiaic.com/article/detail/5901.html         2025-09-03

  • 电动车控制器mos管工作原理-KIA MOS管

    MOS管是由栅极、源极和漏极构成的三端器件，通过栅极电压控制源漏极间电流通断。在电动车控制器中多采用N沟道增强型MOS管，其导通电阻低、开关速度快的特点适合高频大电流场景。电动车控制器中的MOS管通过栅极电压控制电流通断，配合PWM信号实现电机调速和电子...

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    www.kiaic.com/article/detail/5900.html         2025-09-03

  • 60R170,600v22a场效应管,to220封装,KLP60R170B参数-KIA MOS管

    KLP60R170B是一款n沟道多外延Super-JMOSFET，漏源击穿电压600V，漏极电流22A，低导通电阻RDS(on) 150mΩ，超低栅极电荷30.2nc，最大限度地减少导电损耗，减少功耗提高系统效率；具有高耐压特性和低电阻特性，超快切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，抗冲击能...

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    www.kiaic.com/article/detail/5899.html         2025-09-02

  • llc谐振电路工作原理图文详解-KIA MOS管

    LLC谐振电路主要由开关电路、谐振电路以及整流电路三个部分组成。通过控制开关管的开关时间和频率，使得谐振电路中的电感、电容和变压器之间产生谐振振荡，从而实现高效的能量转换。

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    www.kiaic.com/article/detail/5898.html         2025-09-02

  • 7805三端稳压器,7805引脚图参数-KIA MOS管

    7805是一款三端稳压集成电路，常见的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列。7805三端稳压器主要参数包括输出电压5V（4.8V~5.2V）、最大输出电流1.5A、输入电压范围7V~35V，封装类型常见为TO-220或TO-92。

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    www.kiaic.com/article/detail/5897.html         2025-09-02

  • 80R240场效应管,800Vmos管,to220f,KLF80R240B参数-KIA MOS管

    KLF80R240B是一款n沟道多外延Super-JMOSFET，漏源击穿电压800V，漏极电流18A，低导通电阻RDS(on) 205mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减少功耗并提高效率；具有高耐压特性和低电阻特性，超快切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，抗冲击能力强...

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    www.kiaic.com/article/detail/5896.html         2025-09-01

  • 短沟道效应详解,dibl效应分析-KIA MOS管

    短沟道效应（short-channel effects）是当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时，晶体管出现的一些效应。

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    www.kiaic.com/article/detail/5895.html         2025-09-01

  • 场效应管的夹断电压是什么？-KIA MOS管

    夹断电压VGS(off)（或VP）夹断电压是耗尽型场效应管（FET）的关键参数。当栅源电压VGS等于夹断电压VGS(off)时，漏极电流将降至为零。

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    www.kiaic.com/article/detail/5894.html         2025-09-01

  • 3404场效应管,3404pmos,dfn5*6,​KPY3404A参数-KIA MOS管

    KPY3404A场效应管漏源击穿电压-40V，漏极电流-85A，使用先进的高单元密度沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(on) 5mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减少功耗并提高效率；优异的CdV/dt效应衰减，?100% EAS保障、绿色设备可用，稳定可靠；高输入阻抗...

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    www.kiaic.com/article/detail/5893.html         2025-08-28

  • 色环电阻颜色对照表,色环电阻对照表-KIA MOS管

    在四色环电阻中，第一环表示有效数字，第二环表示倍数，第三环表示允许误差。例如，一个四色环电阻的颜色顺序为“棕、黑、金、金”，则其阻值为10×10^0=10欧姆，允许误差为±5%。

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    www.kiaic.com/article/detail/5892.html         2025-08-28

  • 移相电路原理图,工作原理分析-KIA MOS管

    移相电路是一种特殊的信号处理电路，专为改变输出信号与输入信号之间的相位关系而设计，同时保持信号幅度不变。移相电路在实际工程中应用广泛，如锁定放大器、外差接收、同步、波形合成等。移相电路的本质是改变输出信号与输入信号的相位关系，所以必须会用到电...

    1 次查看 移相电路原理图 工作原理分析-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/5891.html         2025-08-28

  • 逆变器mos,irfp064参数代换,60v100a场效应管,KNM3206B-KIA MOS管

    irfp064场效应管代换型号KNM3206B?漏源击穿电压60V，漏极电流100A，使用先进平面工艺制造，高密度单元设计实现极低导通电阻RDS(on) 7.4mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减少功耗并提高效率；环氧树脂通过UL 94 V-0阻燃认证、无卤素，稳定可靠?...

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    www.kiaic.com/article/detail/5890.html         2025-08-27

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